Вернуться к списку стандартов

Профстандарт: Специалист в области разработки полупроводниковых лазеров

Код: 40.039

Утвержден: приказом Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации от 22.04.2021 № 271н

I. Общие сведения

Группы занятий по ОКЗ:

  • 1223 - Руководители подразделений по научным исследованиям и разработкам
  • 2111 - Физики и астрономы

Виды экономической деятельности по ОКВЭД:

  • 26.11.2 - Производство диодов, транзисторов и прочих полупроводниковых приборов, включая светоизлучающие диоды, пьезоэлектрические приборы и их части
  • 72.19 - Научные исследования и разработки в области естественных и технических наук прочие

II. Описание трудовых функций

Обобщенные трудовые функции Трудовые функции
Код Наименование Уровень квалификации Наименование Код Уровень (подуровень) квалификации
A Разработка новой модели полупроводникового лазера 7 Поиск и анализ существующих технических решений для реализации параметров разрабатываемой модели полупроводникового лазера A/01.7 7
Проведение расчетов для определения необходимых требований к параметрам гетероструктуры и конструкции излучающего элемента полупроводникового лазера A/02.7 7
Разработка технологического маршрута изготовления новой модели полупроводникового лазера A/03.7 7
Разработка исходных данных для оформления конструкторской документации на новую модель полупроводникового лазера A/04.7 7
Подготовка исходных данных для оформления документации по патентной защите интеллектуальной собственности - новой модели полупроводникового лазера A/05.7 7
B Организация контроля параметров и испытаний новой модели полупроводникового лазера 7 Разработка и согласование со службами организации программы метрологического обеспечения, программы и методики испытаний новой модели полупроводникового лазера B/01.7 7
Разработка технических условий на новую модель полупроводникового лазера и технической документации, предусмотренной техническим заданием B/02.7 7
Разработка и изготовление оснастки для проведения измерений параметров и испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров B/03.7 7
Оформление заявок на материалы, комплектующие и оборудование, необходимые для проведения испытаний разрабатываемых полупроводниковых лазеров B/04.7 7
Проведение испытаний разработанного полупроводникового лазера на соответствие требованиям технического задания B/05.7 7
C Разработка и подготовка производства для серийного выпуска новой модели полупроводникового лазера 7 Определение перечня оборудования и оснастки, необходимых для производства новой модели полупроводникового лазера C/01.7 7
Организация рабочих мест, необходимых для выполнения работ по контролю параметров и испытаний разрабатываемой новой модели полупроводникового лазера C/02.7 7
Научно-техническое сопровождение изготовления опытной партии разработанной новой модели полупроводникового лазера C/03.7 7
Проведение испытаний опытных образцов полупроводникового лазера для проверки соответствия требованиям технического задания C/04.7 7
D Научно-техническое сопровождение серийного производства новой модели полупроводникового лазера 7 Согласование методов контроля параметров разработанной модели полупроводникового лазера с учетом условий его серийного производства в организации-изготовителе D/01.7 7
Согласование методики входного контроля при поставке полупроводниковых лазеров заказчику D/02.7 7
Подготовка исходных данных, необходимых для оформления рекламных и информационных сообщений о разработанном полупроводниковом лазере D/03.7 7
Корректировка технической документации с целью устранения недостатков, выявленных в процессе производства и эксплуатации полупроводникового лазера D/04.7 7
Согласование решения по корректировке технологических процессов для повышения выхода годных полупроводниковых лазеров D/05.7 7
Проведение в составе комиссии типовых испытаний новой модели полупроводникового лазера для подтверждения правильности внесенных конструктивных и технологических изменений D/06.7 7
E Подготовка проекта создания новой модели полупроводникового лазера 7 Уточнение условий и режимов эксплуатации, конструктивных особенностей разрабатываемой модели полупроводникового лазера E/01.7 7
Согласование с заказчиком технического задания на новую разрабатываемую модель полупроводникового лазера (технических требований) и объема разрабатываемой документации E/02.7 7
Определение с заказчиком перечня организаций-соисполнителей (организаций-контрагентов) для разработки новой модели полупроводникового лазера E/03.7 7
Разработка со службами организации организационных и технических мероприятий, необходимых для выполнения проекта разработки новой модели полупроводникового лазера E/04.7 7
Подготовка распорядительного акта о начале реализации проекта создания новой модели полупроводникового лазера E/05.7 7

III. Сведения об организациях – разработчиках профессионального стандарта

Ответственная организация-разработчик: Фонд инфраструктурных и образовательных программ (РОСНАНО), город Москва

Остались вопросы?

Свяжитесь с нами, и мы поможем найти нужную информацию о профессиональных стандартах